JANSR2N5153

RH POWER BJT
JANSR2N5153 P1
JANSR2N5153 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ JANSR2N5153

Artikelnummer
JANSR2N5153
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
RH POWER BJT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer JANSR2N5153
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2.5A, 5V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-39 (TO-205AD)

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