DMG1016V-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT563
DMG1016V-7 P1
DMG1016V-7 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMG1016V-7

Artikelnummer
DMG1016V-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMG1016V-7
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 870mA, 640mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 16V
Leistung max 530mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket SOT-563

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