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BOM

DMG1016V-7

MOSFET N/P-CH 20V SOT563
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › DMG1016V-7
DMG1016V-7 P1
DMG1016V-7 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Diodes Incorporated ~ DMG1016V-7

品番
DMG1016V-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMG1016V-7 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 DMG1016V-7
部品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 870mA, 640mA
Rds On（Max）@ Id、Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.74nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 60.67pF @ 16V
電力 - 最大 530mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
サプライヤデバイスパッケージ SOT-563

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