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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMG1012TQ-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 630mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
| Vgs (Max) | ±6V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 280mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-523 |
| Paket / Fall | SOT-523 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMG1012T-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR | - | 1446204 | Einzelheiten |
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DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMG1012TQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 | - | 48000 | Einzelheiten |
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DMG1012UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 | - | 129000 | Einzelheiten |
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DMG1013T-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMG1013TQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 | - | 63000 | Einzelheiten |
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DMG1013UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 20V 820MA SOT323 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 | - | 36000 | Einzelheiten |
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DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | - | 42000 | Einzelheiten |
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DMG1016VQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | - | 0 | Einzelheiten |