Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SQJ262EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Tính năng FET | Standard |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 60V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc), 40A (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V, 23nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V |
| Sức mạnh tối đa | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ260EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | - | 102107 | Chi tiết |
|
SQJ262EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | - | 111551 | Chi tiết |