SQ1922EEH-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
SQ1922EEH-T1_GE3 P1
SQ1922EEH-T1_GE3 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Vishay Siliconix ~ SQ1922EEH-T1_GE3

Một phần số
SQ1922EEH-T1_GE3
nhà chế tạo
Vishay Siliconix
Sự miêu tả
MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- SQ1922EEH-T1_GE3 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số SQ1922EEH-T1_GE3
Trạng thái phần Active
Loại FET 2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET Standard
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 20V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 840mA (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Sức mạnh tối đa 1.5W
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói Thiết bị Nhà cung cấp SC-70-6

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm