PHN210T,118

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
PHN210T,118 P1
PHN210T,118 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Nexperia USA Inc. ~ PHN210T,118

Một phần số
PHN210T,118
nhà chế tạo
Nexperia USA Inc.
Sự miêu tả
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
PHN210T,118.pdf PHN210T,118 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số PHN210T,118
Trạng thái phần Active
Loại FET 2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET Logic Level Gate
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C -
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V
Sức mạnh tối đa 2W
Nhiệt độ hoạt động -65°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 8-SO

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm