Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | JANTXV2N3810L |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Transistor | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vua bão hòa (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
| Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) | 10µA (ICBO) |
| DC hiện tại tăng (hFE) (Min) @ Ic, VCE | 150 @ 1mA, 5V |
| Sức mạnh tối đa | 350mW |
| Tần suất - Chuyển tiếp | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-78-6 Metal Can |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-78-6 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Chi tiết |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Chi tiết |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Chi tiết |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Chi tiết |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Chi tiết |