Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | JANTX1N5614US |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Standard |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 1A |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.3V @ 3A |
| Tốc độ | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 2µs |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 500nA @ 200V |
| Điện dung @ Vr, F | - |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | SQ-MELF, A |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | D-5A |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -65°C ~ 200°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Chi tiết |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Chi tiết |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Chi tiết |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Chi tiết |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Chi tiết |