Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT70SM70B |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 700V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 20V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Tối đa) | +25V, -10V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 300W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-247 [B] |
| Gói / Trường hợp | TO-247-3 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | Chi tiết |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | Chi tiết |
 |
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | Chi tiết |
|
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Chi tiết |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Chi tiết |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Chi tiết |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Chi tiết |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | Chi tiết |