IXTY02N50D

MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
IXTY02N50D P1
IXTY02N50D P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

IXYS ~ IXTY02N50D

Một phần số
IXTY02N50D
nhà chế tạo
IXYS
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
IXTY02N50D.pdf IXTY02N50D PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IXTY02N50D
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 500V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 200mA (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs -
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET Depletion Mode
Công suất Tối đa (Tối đa) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 30 Ohm @ 50mA, 0V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp TO-252, (D-Pak)
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm