IXT-1-1N100S1

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
IXT-1-1N100S1 P1
IXT-1-1N100S1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

IXYS ~ IXT-1-1N100S1

Một phần số
IXT-1-1N100S1
nhà chế tạo
IXYS
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IXT-1-1N100S1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IXT-1-1N100S1
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 1000V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs -
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Tối đa) -
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) -
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs -
Nhiệt độ hoạt động -
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 8-SOIC
Gói / Trường hợp 8-SOIC

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm