Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | IRF6668TRPBF |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 80V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 25V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 12A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | DIRECTFET™ MZ |
| Gói / Trường hợp | DirectFET™ Isometric MZ |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A | 2918 | Chi tiết | |
 |
IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A | 0 | Chi tiết | |
 |
IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A | 1911 | Chi tiết | |
 |
IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | 0 | Chi tiết | |
|
IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | 0 | Chi tiết | |
 |
IRF610L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | - | 0 | Chi tiết |
 |
IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | - | 0 | Chi tiết |
 |
IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 0 | Chi tiết |
 |
IRF610SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 262 | Chi tiết |
 |
IRF610STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 0 | Chi tiết |