IPG20N06S415ATMA2

MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG20N06S415ATMA2 P1
IPG20N06S415ATMA2 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPG20N06S415ATMA2

Một phần số
IPG20N06S415ATMA2
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
IPG20N06S415ATMA2.pdf IPG20N06S415ATMA2 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPG20N06S415ATMA2
Trạng thái phần Active
Loại FET 2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET Standard
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 60V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 20A
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V
Sức mạnh tối đa 50W
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp 8-PowerVDFN
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TDSON-8-4

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm