IPB60R080P7ATMA1

MOSFET N-CH TO263-3
IPB60R080P7ATMA1 P1
IPB60R080P7ATMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPB60R080P7ATMA1

Một phần số
IPB60R080P7ATMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH TO263-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IPB60R080P7ATMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPB60R080P7ATMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 650V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 37A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 590µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Vgs (Tối đa) ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 2180pF @ 400V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 129W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp D²PAK (TO-263AB)
Gói / Trường hợp TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm