IPB100N06S2L05ATMA1

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
IPB100N06S2L05ATMA1 P1
IPB100N06S2L05ATMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPB100N06S2L05ATMA1

Một phần số
IPB100N06S2L05ATMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IPB100N06S2L05ATMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPB100N06S2L05ATMA1
Trạng thái phần Discontinued at Digi-Key
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 55V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 5660pF @ 25V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 300W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 80A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO263-3-2
Gói / Trường hợp TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm