GCMS007A120S7B1

SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
GCMS007A120S7B1 P1
GCMS007A120S7B1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Global Power Technologies Group ~ GCMS007A120S7B1

Một phần số
GCMS007A120S7B1
nhà chế tạo
Global Power Technologies Group
Sự miêu tả
SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
GCMS007A120S7B1.pdf GCMS007A120S7B1 PDF online browsing
gia đình
Các mô-đun điều khiển năng lượng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số GCMS007A120S7B1
Trạng thái phần Active
Kiểu MOSFET
Cấu hình Half Bridge
Hiện hành 360A
Vôn 1200V
Điện áp - Cách ly 2500Vrms
Gói / Trường hợp Power Module

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm