Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | EPC2111ENGRT |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Tính năng FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 30V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
| Sức mạnh tối đa | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | Die |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | Die |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | 26500 | Chi tiết | |
 |
EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | 70000 | Chi tiết | |
 |
EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 0 | Chi tiết | |
 |
EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 15000 | Chi tiết | |
 |
EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 5000 | Chi tiết | |
 |
EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 12000 | Chi tiết | |
 |
EPC2010CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 0 | Chi tiết | |
 |
EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | 4000 | Chi tiết | |
 |
EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 21000 | Chi tiết | |
 |
EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 0 | Chi tiết | |
 |
EPC2014 | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 26000 | Chi tiết | |
 |
EPC2014C | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 97500 | Chi tiết |