Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BAS116-7-F |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Standard |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 215mA (DC) |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Tốc độ | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 3µs |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 5nA @ 75V |
| Điện dung @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | SOT-23-3 |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS101,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 200MA SOT23 | 0 | Chi tiết | |
 |
BAS101S,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 300V 200MA SOT23 | 0 | Chi tiết | |
 |
BAS116 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BAS116 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 | - | 1546376 | Chi tiết |
 |
BAS116,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 9000 | Chi tiết | |
 |
BAS116,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 90000 | Chi tiết | |
 |
BAS116-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BAS116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 42000 | Chi tiết |
 |
BAS116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | Chi tiết |
|
BAS116GWJ | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 10000 | Chi tiết |
|
BAS116GWX | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 3000 | Chi tiết |
 |
BAS116H,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F | 33000 | Chi tiết |