Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Silicon Carbide (SiC) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 50A |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 15V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Maksimum güç | 20mW |
| Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Chassis Mount |
| Paket / Durum | Module |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | Module |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE | - | 676 | ayrıntılar |