DF650R17IE4BOSA1

MOD IGBT 650A PRIME2-1
DF650R17IE4BOSA1 P1
DF650R17IE4BOSA1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ DF650R17IE4BOSA1

Parça numarası
DF650R17IE4BOSA1
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOD IGBT 650A PRIME2-1
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- DF650R17IE4BOSA1 PDF online browsing
Aile
Transistörler - IGBT'ler - Modüller
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası DF650R17IE4BOSA1
Parça Durumu Active
IGBT Tipi -
Yapılandırma Single
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 1700V
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 930A
Maksimum güç 4150W
Vce (açık) (Maks) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
Akım - Kollektör Kesilmesi (Maks.) 5mA
Giriş Kapasitesi (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
Giriş Standard
NTC Termistor Yes
Çalışma sıcaklığı -40°C ~ 150°C
Montaj tipi Chassis Mount
Paket / Durum Module
Tedarikçi Aygıt Paketi Module

ilgili ürünler

Tüm ürünler