DF650R17IE4BOSA1

MOD IGBT 650A PRIME2-1
DF650R17IE4BOSA1 P1
DF650R17IE4BOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ DF650R17IE4BOSA1

Número de pieza
DF650R17IE4BOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOD IGBT 650A PRIME2-1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza DF650R17IE4BOSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1700V
Current - Collector (Ic) (Max) 930A
Potencia - Max 4150W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
Corriente - corte de colector (máximo) 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module

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