| номер части | UH2B-M3/52T |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 100V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 2A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.05V @ 2A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 35ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 2µA @ 100V |
| Емкость @ Vr, F | 42pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214AA, SMB |
| Пакет устройств поставщика | DO-214AA (SMB) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UH2B-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | 0 | подробности | |
 |
UH2B-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | 0 | подробности | |
 |
UH2B-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 2A SMA | - | 8479 | подробности |
 |
UH2B-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 2A SMA | - | 10550 | подробности |
 |
UH2BHE3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | 0 | подробности | |
 |
UH2BHE3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | 0 | подробности | |
 |
UH2BHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | 0 | подробности | |
 |
UH2BHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | 0 | подробности |
