SQP100N04-3M6_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
SQP100N04-3M6_GE3 P1
SQP100N04-3M6_GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SQP100N04-3M6_GE3

номер части
SQP100N04-3M6_GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SQP100N04-3M6_GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SQP100N04-3M6_GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 3.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 135nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 7200pF @ 25V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 120W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Упаковка / чехол TO-220-3

сопутствующие товары

Все продукты