| номер части | SIA907EDJT-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 P-Channel (Dual) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Мощность - макс. | 7.8W |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA907EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SMD | - | 21008 | подробности |
|
SIA907EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SMD | - | 21006 | подробности |
 |
SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L | - | 0 | подробности |
