| номер части | SIA465EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2130pF @ 10V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 19W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SC-70-6 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIA465EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | - | 373611 | подробности |
