| номер части | EGF1AHE3_A/H |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 50V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1V @ 1A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 50ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 50V |
| Емкость @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214BA |
| Пакет устройств поставщика | DO-214BA (GF1) |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EGF1A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 1A SMA | - | 22500 | подробности |
 |
EGF1A-E3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | подробности |
 |
EGF1A-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 3000 | подробности |
 |
EGF1AHE3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | подробности |
 |
EGF1AHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | подробности |
|
EGF1AHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 324434 | подробности |
|
EGF1AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 324434 | подробности |
 |
EGF1B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | - | 7500 | подробности |
 |
EGF1B-1HE3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 268 | подробности |
 |
EGF1B-1HE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 268 | подробности |
 |
EGF1B-E3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | подробности |
 |
EGF1B-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | подробности |
