TPN30008NH,LQ

MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
TPN30008NH,LQ P1
TPN30008NH,LQ P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPN30008NH,LQ

номер части
TPN30008NH,LQ
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TPN30008NH,LQ PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TPN30008NH,LQ
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 920pF @ 40V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 4.8A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Упаковка / чехол 8-PowerVDFN

сопутствующие товары

Все продукты