TLP109(IGM-TPR,E

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD
TLP109(IGM-TPR,E P1
TLP109(IGM-TPR,E P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TLP109(IGM-TPR,E

номер части
TLP109(IGM-TPR,E
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TLP109(IGM-TPR,E PDF online browsing
семья
Оптоизоляторы - транзистор, фотогальванический выход
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TLP109(IGM-TPR,E
Статус детали Active
Количество каналов 1
Напряжение - изоляция 3750Vrms
Коэффициент передачи в реальном времени (мин.) 25% @ 10mA
Коэффициент передачи тока (макс.) 75% @ 10mA
Время включения / выключения (Тип) 450ns, 450ns
Время нарастания / падения (Тип) -
Тип ввода DC
Тип выхода Transistor
Напряжение - выход (макс.) 20V
Текущий - выход / канал 8mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) 1.64V
Current - DC Forward (If) (Max) 20mA
Vce Saturation (Макс.) -
Рабочая Температура -55°C ~ 125°C
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Пакет устройств поставщика 6-SO, 5 Lead

сопутствующие товары

Все продукты