| номер части | TK14C65W5,S1Q |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 13.7A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 690µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1300pF @ 300V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 130W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 6.9A, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | I2PAK |
| Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK14C65W,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK | - | 39 | подробности |
 |
TK14C65W5,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK | - | 0 | подробности |
