TK040N65Z,S1F

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
TK040N65Z,S1F P1
TK040N65Z,S1F P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK040N65Z,S1F

номер части
TK040N65Z,S1F
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TK040N65Z,S1F PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TK040N65Z,S1F
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 57A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.85mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 105nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 6250pF @ 300V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 360W (Tc)
Рабочая Температура 150°C
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-247
Упаковка / чехол TO-247-3

сопутствующие товары

Все продукты