Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN2601(TE85L,F)

номер части: RN2601(TE85L,F)
производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: RN2601(TE85L,F).pdf RN2601(TE85L,F) PDF online browsing
семья: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые

номер части	RN2601(TE85L,F)
Статус детали	Discontinued at Digi-Key
Тип транзистора	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	50V
Резистор - основание (R1) (Ом)	4.7k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом)	4.7k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100nA (ICBO)
Частота - переход	200MHz
Мощность - макс.	300mW
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	SC-74, SOT-457
Пакет устройств поставщика	SM6

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
RN2601(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6		0	подробности
RN2602(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6		3000	подробности
RN2603(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6		3000	подробности
RN2604(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6		3000	подробности
RN2605(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6		0	подробности
RN2606(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6		0	подробности
RN2607(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6	-	0	подробности
RN2608(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6	-	0	подробности