RN1309,LF

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
RN1309,LF P1
RN1309,LF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1309,LF

номер части
RN1309,LF
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- RN1309,LF PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части RN1309,LF
Статус детали Active
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 250MHz
Мощность - макс. 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SC-70, SOT-323
Пакет устройств поставщика USM

сопутствующие товары

Все продукты