Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1132MFV,L3F

номер части: RN1132MFV,L3F
производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: - RN1132MFV,L3F PDF online browsing
семья: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

номер части	RN1132MFV,L3F
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	50V
Resistor - Base (R1)	200 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	-
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100nA (ICBO)
Частота - переход	-
Мощность - макс.	150mW
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	SOT-723
Пакет устройств поставщика	VESM

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
RN1130MFV,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM	-	0	подробности
RN1131MFV(TL3,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM	-	0	подробности
RN1132MFV,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M	-	2272607	подробности
RN113BPC	Switchcraft Inc.	CONN JACK STEREO 6.35MM R/A		187	подробности