| номер части | GA200-010WD |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип давления | Differential |
| Рабочее давление | 0.36 PSI (2.49 kPa) |
| Тип выхода | Analog Voltage |
| Вывод | 0.25 V ~ 4 V |
| точность | ±0.5% |
| Напряжение - Поставка | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Размер порта | Male - 0.13" (3.23mm) Tube, Dual |
| Стиль порта | Barbed |
| Особенности | Amplified Output, Temperature Compensated |
| Стиль завершения | PCB |
| Максимальное давление | 10 PSI (68.95 kPa) |
| Рабочая Температура | -25°C ~ 80°C |
| Упаковка / чехол | 3-SIP Module |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GA200-001PD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB | 0 | подробности | |
 |
GA200-005WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP | 0 | подробности | |
 |
GA200-010WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP | 0 | подробности | |
 |
GA200-015WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP | 0 | подробности | |
 |
GA200SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT STD 600V 100A SOT227 | 0 | подробности | |
 |
GA200SA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT UFAST 600V 100A SOT227 | 0 | подробности | |
 |
GA201AE3 | Microsemi Corporation | SCR | - | 1337 | подробности |
 |
GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 20A | 0 | подробности | |
 |
GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A | 263 | подробности | |
 |
GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A TO247 | 0 | подробности | |
 |
GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor | SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV | 90 | подробности |
