| номер части | KBL607G T0G |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 1kV |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 6A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 6A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-SIP, KBL |
| Пакет устройств поставщика | KBL |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
KBL601G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 6A KBL | 0 | подробности | |
|
KBL601G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBL | - | 132739 | подробности |
|
KBL601G T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBL | - | 13120 | подробности |
|
KBL602G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 6A KBL | 0 | подробности | |
|
KBL602G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBL | - | 132739 | подробности |
|
KBL602G T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBL | - | 13120 | подробности |
|
KBL603G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 200V 6A KBL | 0 | подробности | |
|
KBL603G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBL | - | 132739 | подробности |
|
KBL603G T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBL | - | 13117 | подробности |
|
KBL604G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 6A KBL | 0 | подробности | |
|
KBL604G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL | - | 132739 | подробности |
|
KBL604G T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL | - | 13117 | подробности |
