STS9P2UH7

MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
STS9P2UH7 P1
STS9P2UH7 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

STMicroelectronics ~ STS9P2UH7

номер части
STS9P2UH7
производитель
STMicroelectronics
Описание
MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- STS9P2UH7 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части STS9P2UH7
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2390pF @ 16V
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.7W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SO
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты