| номер части | SI88620BD-IS |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Технологии | Capacitive Coupling |
| Тип | General Purpose |
| Изолированная мощность | No |
| Количество каналов | 2 |
| Входы - Сторона 1 / Сторона 2 | 2/0 |
| Тип канала | Unidirectional |
| Напряжение - изоляция | 5000Vrms |
| Иммунитет переходного периода общего режима (мин.) | 40kV/µs |
| Скорость передачи данных | 100Mbps |
| Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.) | 12.6ns, 17.5ns (Typ) |
| Искажение ширины импульса (макс.) | 4.8ns (Typ) |
| Время нарастания / падения (Тип) | 2.5ns, 2.5ns |
| Напряжение - Поставка | 3 V ~ 5.5 V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | - | 60000 | подробности |
 |
SI8802DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V MICROFOOT | - | 33000 | подробности |
 |
SI8805EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V MICROFOOT | - | 6000 | подробности |
 |
SI8806DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V MICROFOOT | 0 | подробности | |
 |
SI8808DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICROFOOT | - | 12000 | подробности |
 |
SI8809EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT | - | 0 | подробности |
 |
SI8810EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT | - | 0 | подробности |
 |
SI8812DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | - | 3000 | подробности |
 |
SI8816EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT | - | 0 | подробности |
 |
SI8817DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | - | 0 | подробности |
|
SI8819EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT | - | 510346 | подробности |
 |
SI8821EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT | - | 0 | подробности |
