| номер части | BA4560 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Количество схем | 2 |
| Тип выхода | - |
| Скорость нарастания | 4 V/µs |
| Получите пропускную способность продукта | 10MHz |
| Пропускная способность -3 дБ | - |
| Ток - входное смещение | 50nA |
| Напряжение - смещение входа | 500µV |
| Текущий - поставка | 4mA |
| Текущий - выход / канал | 25mA |
| Напряжение - Питание, Одиночный / Двойной (±) | 8 V ~ 30 V, ±4 V ~ 15 V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Пакет устройств поставщика | 8-DIP |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BA 595 B6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 50V 50MA SOD-323 | - | 0 | подробности |
 |
BA 779 E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23 | 0 | подробности | |
 |
BA 892 E6127 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80 | - | 0 | подробности |
 |
BA 892 E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80 | - | 0 | подробности |
 |
BA 892 E6433 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80 | - | 0 | подробности |
 |
BA 892 L6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80 | - | 0 | подробности |
 |
BA 892-02L E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA TSLP-2 | - | 0 | подробности |
 |
BA 892-02V E6127 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SC-79 | - | 0 | подробности |
 |
BA 892-02V E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SC-79 | - | 0 | подробности |
 |
BA 892-02V E6433 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SC-79 | - | 0 | подробности |
 |
BA 892-02V H6127 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 35V 100MA SC79 | - | 32000 | подробности |
 |
BA 895 E6327 | Infineon Technologies | DIODE RF SW 50V 50MA SCD-80 | - | 0 | подробности |
