SMUN5230DW1T1G

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
SMUN5230DW1T1G P1
SMUN5230DW1T1G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ SMUN5230DW1T1G

номер части
SMUN5230DW1T1G
производитель
ON Semiconductor
Описание
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SMUN5230DW1T1G PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SMUN5230DW1T1G
Статус детали Active
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 1k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 1k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход -
Мощность - макс. 187mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройств поставщика SC-88/SC70-6/SOT-363

сопутствующие товары

Все продукты