FQU4N50TU-WS

MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
FQU4N50TU-WS P1
FQU4N50TU-WS P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ FQU4N50TU-WS

номер части
FQU4N50TU-WS
производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FQU4N50TU-WS PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FQU4N50TU-WS
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 460pF @ 25V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика I-PAK
Упаковка / чехол TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

сопутствующие товары

Все продукты