| номер части | 2N5461G |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Напряжение - пробой (V (BR) GSS) | 40V |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | - |
| Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 2mA @ 15V |
| Текущий слив (Id) - Макс. | - |
| Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id | 1V @ 1µA |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 7pF @ 15V |
| Сопротивление - RDS (Вкл.) | - |
| Мощность - макс. | 350mW |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 135°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Пакет устройств поставщика | TO-92-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | подробности |
|
2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | подробности |
|
2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | подробности |
|
2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | подробности |
|
2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | подробности |
|
2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | подробности |
|
2N5010 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6990 | подробности |
|
2N5011 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 5951 | подробности |
|
2N5012 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | подробности |
|
2N5012S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 21999 | подробности |
|
2N5013 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | подробности |
|
2N5013S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 6364 | подробности |
