| номер части | SI4800,518 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11.8nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4800,518 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1 | - | 0 | подробности |
 |
SI4800BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4800BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4804BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4804BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4804CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | - | 0 | подробности |
 |
SI4804CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | - | 3330 | подробности |
 |
SI4808DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4808DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4812BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4812BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4814BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | - | 0 | подробности |
