MRF8S21200HSR6

FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
MRF8S21200HSR6 P1
MRF8S21200HSR6 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF8S21200HSR6

номер части
MRF8S21200HSR6
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MRF8S21200HSR6 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MRF8S21200HSR6
Статус детали Last Time Buy
Тип транзистора LDMOS (Dual)
частота 2.14GHz
Усиление 18.1dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 1.4A
Выходная мощность 48W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол NI-1230S
Пакет устройств поставщика NI-1230S

сопутствующие товары

Все продукты