MRF8S21100HSR3

FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
MRF8S21100HSR3 P1
MRF8S21100HSR3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF8S21100HSR3

номер части
MRF8S21100HSR3
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
MRF8S21100HSR3.pdf MRF8S21100HSR3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MRF8S21100HSR3
Статус детали Not For New Designs
Тип транзистора LDMOS
частота 2.17GHz
Усиление 18.3dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 700mA
Выходная мощность 24W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол NI-780S
Пакет устройств поставщика NI-780S

сопутствующие товары

Все продукты