A2V07H525-04NR6

AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
A2V07H525-04NR6 P1
A2V07H525-04NR6 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2V07H525-04NR6

номер части
A2V07H525-04NR6
производитель
NXP USA Inc.
Описание
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- A2V07H525-04NR6 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части A2V07H525-04NR6
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 595MHz ~ 851MHz
Усиление 17.5dB
Напряжение - испытание 48V
Текущий рейтинг 10µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 700mA
Выходная мощность 120W
Напряжение - Номинальное напряжение 105V
Упаковка / чехол OM-1230-4L
Пакет устройств поставщика OM-1230-4L

сопутствующие товары

Все продукты