A2T21S160-12SR3

IC TRANS RF LDMOS
A2T21S160-12SR3 P1
A2T21S160-12SR3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2T21S160-12SR3

номер части
A2T21S160-12SR3
производитель
NXP USA Inc.
Описание
IC TRANS RF LDMOS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
A2T21S160-12SR3.pdf A2T21S160-12SR3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части A2T21S160-12SR3
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 2.17GHz
Усиление 18.4dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 600mA
Выходная мощность 38W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол NI-780-2S2L
Пакет устройств поставщика NI-780-2S2L

сопутствующие товары

Все продукты