| номер части | 1N914B,113 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 100V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 200mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1V @ 100mA |
| скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Время обратного восстановления (trr) | 4ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 75V |
| Емкость @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Пакет устройств поставщика | ALF2 |
| Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N914 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | - | 599 | подробности |
 |
1N914-T50A | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 5726971 | подробности |
 |
1N914-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | подробности |
 |
1N914A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | подробности |
 |
1N914ATR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 20000 | подробности |
 |
1N914A_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | подробности |
 |
1N914B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 13981 | подробности |
 |
1N914B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 4786349 | подробности |
 |
1N914B,113 | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 | 0 | подробности | |
 |
1N914B-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | подробности |
 |
1N914BTR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 80000 | подробности |
 |
1N914BTR_S00Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 10847 | подробности |
