| номер части | JANTX2N4859 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Напряжение - пробой (V (BR) GSS) | 30V |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 175mA @ 15V |
| Текущий слив (Id) - Макс. | - |
| Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id | 10V @ 500pA |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 18pF @ 10V (VGS) |
| Сопротивление - RDS (Вкл.) | 25 Ohm |
| Мощность - макс. | 360mW |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Пакет устройств поставщика | TO-18 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | подробности |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | подробности |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | подробности |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | подробности |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | подробности |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | подробности |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | подробности |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | подробности |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
