APT1002RBNG

MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
APT1002RBNG P1
APT1002RBNG P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APT1002RBNG

номер части
APT1002RBNG
производитель
Microsemi Corporation
Описание
MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APT1002RBNG PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APT1002RBNG
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 105nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1800pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 240W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 4A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-247AD
Упаковка / чехол TO-247-3

сопутствующие товары

Все продукты